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AlGaInP 材料是制作红光 LED 最成熟的半导体材料，具有成本低、亮度高、可靠性良好的优势，但受限于「尺寸效应」，AlGaInP 基 Micro LED 在微米级尺度上光效下降严重，为业界公认难题。Micro LED 大厂 JBD 宣布，由于坚持在该技术路线深入研发，JBD 再次取得持续突破，其红光 Micro LED 在光效和亮度方面再次刷新行业纪录。
JBD 指出，依托其自身优异的 AlGaInP 材料生长技术为基础，在 Micro LED 芯片表面处理技术方面取得突破，实现对载流子的局域性控制，大幅降低表面非辐射复合对内量子效率的影响，使 Micro LED 光效得到巨大提升，在同功耗情况下，亮度由 50 万尼特提升至 75 万尼特。JBD 预计将在 2023 年中期量产该技术，并计划将其应用于一款体积仅 0.4cc 的超微型彩色光引擎。
JBD 透露，这款 0.4cc 彩色光引擎将是今年重磅产品，预计 5 月在美国洛杉矶 SID Display Week 亮相。该光引擎体积仅 0. 4cc（立方厘米），重量仅 1.0 克，但可以输出超过 4 流明的光通量。光引擎标准视场角 30°，支援 25°~45°视场角定制。搭配市面的高光效波导，可以得到入眼 2,000 尼特的超高亮度，满足室内外不同光线环境的使用。
JBD 指出，该光引擎的功耗可低至 260 毫瓦，并支援智慧眼镜（Smart Glasses）的全天使用。
JBD 推出的这款 Micro LED 全彩光引擎，是世界上最小的光引擎。相较于 LCoS 和 DLP，因其背光源的特点，实现的光引擎体积至少要 2~3cc；又因背光源需要长时间点亮，功耗一般在 500 毫瓦以上。JBD 指出，0.4 cc 光引擎突破技术屏障，同时实现智慧眼镜对光引擎轻小、高亮、低功耗、低成本的苛刻要求，是至今实现智慧眼镜的最佳解法，并满足 C 端消费者对舒适性、潮流性、功能性的要求。
在量产最先进 Micro LED 微显示器的同时，JBD 也在积极探索量子点在 AR/VR 上的可能性。JBD 最近宣布创造一项亮度世界记录，即 Micro LED 激发的红光量子点微显示屏实测出高达 3.7 万尼特的超高亮度；如果配合蓝色和绿色量子点，估测单片全彩方案的微显示面板亮度有望突破 10 万尼特。
关于亮度记录背后的秘密，JBD 解释，这主要归功于超高效的 Micro LED 阵列，同时选择特殊波段激发量子点，可以极大增加吸收效率。量子点方案距离产品应用仍然有很长距离，亮度只是其中一个挑战，热光衰、可靠性和光学隔离都是巨大的挑战。JBD 会持续投入资源开发量子点 + Micro LED 方向，持续突破效率和亮度瓶颈，并有望今年开发出高亮度单片全彩样机。
至于 InGaN 基红光 Micro LED 的可行性，JBD 指出，透过和业内知名外延厂商合作，例如 Porotech，再结合多年积累的 Micro LED 芯片技术，试图验证 InGaN 基红光 Micro LED 的可行性，但研究结果证实，InGaN 基红光 Micro LED 微显示屏的亮度只能达几百尼特，离客户应用要求差 3 个数量级，材料也存在严重的可靠性、颜色均匀性、色彩稳定性等问题。对此，JBD 认为红光 InGaN 外延及芯片存在短期内无法解决的基本物理问题，放弃该技术方向做为产品应用的可能。
资讯来源：TechNews
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